其标准开关性能指标如朗克斯QGD和朗克斯QRR有所提高

据国外媒体报道，当地时间11月10日，阿尔法和欧米茄半导体公司宣布推出新的业界领先的650V和750V SiC MOSFET平台，可用于工业和汽车应用60 V SiC MOSFET是太阳能逆变器，电机驱动设备，工业电源和新能源存储系统等工业应用的理想开关解决方案，而符合AEC—Q101标准的750V SiC MOSFET可用于车载充电器和主牵引逆变器等要求高可靠性的电动汽车系统AOS公司是设计和开发各种功率半导体，功率集成电路和数字电源产品的全球供应商

Aosmofet产品

新的AOM015V75X2Q 750V αSiC MOSFET是在第二代1200V αSiC MOSFET和二极管产品的基础上扩展而来在标准TO—247—4L封装中，RDS值低至15mΩ，为业界领先水平同时，保持+15V的栅极电压，确保与现有栅极驱动解决方案的广泛兼容性由于最小的内部栅极电阻和优化的电池设计，AOS设计的这种器件具有超快的开关速度，并且可以完全由外部栅极电阻控制与现有的750V SiC MOSFET解决方案相比，其标准开关性能指标如朗克斯QGD和朗克斯QRR也有所提高

这种新型αSiC MOSFET的突出优点是显著提高了平面SiC MOSFET的短路耐受时间性能对于许多应用，尤其是电动汽车逆变器，较长的SCWT可以大大提高系统的鲁棒性，并为R&D人员提供更大的设计灵活性为了升级SCWT，通常需要大幅增加产品的晶圆尺寸，这可能会影响整个系统的成本在AOS的测试中，与相同尺寸的竞争产品相比，这款新的750V MOSFET保持了相似甚至更低的RONx A，而SCWT性能提高了40%以上

技术亮点:

1.650V αSiC MOSFET符合工业要求，

2.750V αSiC MOSFET符合AEC—Q101标准，适用于各种电动车应用，符合PPAP，

3.RDS值低至15mΩ，

4.低Qrr和强二极管，

5.最高工作结温为175°c。

定价和上市

首批750V汽车系列αSiC MOSFET产品和650V工业系列MOSFET产品将于2022年第四季度接受预订。